短波长LED近距离匀光照明系统的设计
李燕
杨宇铭
郑怀文
于飞
裴艳荣
杨华
李璟
伊晓燕
王军喜
李晋闽
1.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000832.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000833.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000834.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000835.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000836.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000837.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000838.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 1000839.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 10008310.中国科学院半导体研究所, 中国科学院半导体照明研发中心, 中国科学院大学, 北京第三代半导体材料与应用工程技术研发中心, 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 100083
摘要:特殊波长的LED在可穿戴医疗、 近距离照明等领域具有广泛的应用前景,但是其照射的均匀度和装置的厚度一般为反向关系.迄今为止,这一问题仍然是影响可穿戴设备所需要的近场光照度分布的一个重要因素,对于较短波长没有适用的匀光板材料的情况更是如此.我们采用了成本较低的蓝宝石磨砂工艺与内部漫反射的灯筒相结合,对基本的蓝宝石参数,包括磨砂面方向、 蓝宝石直径、 蓝宝石的位置等进行优化,通过磨砂蓝宝石和灯筒内部对光线的散射作用,当h1=5 mm、h2=7 mm时,仿真得到厚度为1 cm、 直径为4 cm灯筒的照度均匀度最高达到了0.68,获得可接收的光分布性能和能量利用率.
关键词:短波长均匀度光照度近场LED
分类号:TM923(电气化、电能应用)
资助基金:国家重点研发计划(2017YFB0403200)国家重点研发计划(2017YFB0403201)国家重点研发计划(2017YFB0403800)国家重点研发计划(2017YFB0403801)
论文发表日期:2019-07-02
在线出版日期:2025-08-15(本平台首次上网日期,不代表文献的发表时间)
页数:6( 104-108,113 )
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