阵列式高压交直流LED芯片的隔离工艺
田婷1
任芳1
梁萌1
王江华2
刘志强1
伊晓燕1
袁国栋1
王军喜1
李晋闽1
1.中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心,北京,1000832.鹤壁市大华实业有限公司,河南鹤壁,458000
摘要：阵列式高压交/直流发光二极管(LED)在芯片制作过程中通过多个LED微晶粒的串并联来实现交流高压供电,属于高电压小电流的工作状态,与传统LED相比在电流扩展、封装及驱动电路设计等诸多方面有更大的优势.本文主要研究了阵列式高压交直流LED器件制备过程中的芯片隔离工艺,并对感应耦合等离子体(ICP)深刻蚀隔离以及激光划槽两种芯片隔离方法进行了对比.通过扫描电子显微镜(SEM)表征刻蚀形貌以及最终器件的伏安特性和光输出功率表明ICP深刻蚀隔离具有更高的灵活性且可以形成陡直的隔离侧壁,且可以实现较深的刻蚀深度,更有助于制备光电性能优良的阵列式高压交/直流LED器件.
关键词：LED芯片隔离ICP深刻蚀激光划槽
分类号：O436(光学)
资助基金：国家重点研发计划(2017YFB0403300)国家重点研发计划(2017YFB0403302)北京市科委项目(Z161100002116032)广州市科技计划(201704030106)广州市科技计划(2016201604030035)
论文发表日期：2019-05-02
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 81-85,95 )
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