肖特基二极管异常击穿特性曲线的研究
刘法斌1
张平
周明2
董军1
1.济南半导体元件实验所,济南,2500142.济南大学,济南,250002
摘要：本文简述了肖特基二极管的原理,结构、性能特点,分析了生产中经常出现的异常击穿特性曲线,并提出了相应的改进措施.
关键词：肖特基势垒二极管硅化物异常击穿特性曲线保护环
分类号：TN3(半导体技术)
论文发表日期：2001-01-01
在线出版日期：2026-05-22（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：2( 36-37 )
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