H1型经颅磁刺激线圈结构设计对刺激效果的影响
吴雅祥1
廖绍伟1
刘仲武2
余红雅2
1.华南理工大学 电子与信息学院,广州 5106412.华南理工大学 材料科学与工程学院,广州 510641
摘要：经颅磁刺激(transcranial magnetic stimulation,TMS)是一种无创、无痛、低成本实现大脑刺激的工具,在治疗许多精神疾病方面有效.H1 型线圈是一种TMS线圈.为实现深部脑组织刺激,基于现有的H1 型线圈,本研究提出一种由四匝线圈组成的一种简化的H形线圈,使用有限元分析计算球形头部模型内电场分布,并利用大脑内深度 20 mm处最大的电场强度Emax(20)与大脑表面最大电场强度Emax(0)的比值P(20)和Emax(0)研究H形线圈结构设计对刺激深度的影响.分析结果表明,H形线圈的刺激效果由线圈中两组线圈的结构、位置共同决定,通过调整线圈结构,最优的 H1 线圈对应的 P(20)和Emax(0)分别为 75.54%和 32.97 V/m.通过合理的结构设计,可实现在大脑表面最大电场强度较小的同时,刺激颅内深部组织.
关键词：经颅磁刺激H1型线圈线圈结构刺激深度
分类号：R318(医用一般科学)
资助基金：中国博士后科学基金(2023M731124)
论文发表日期：2024-04-28
在线出版日期：2026-09-11（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 129-135 )
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