重复经颅磁刺激电容充电技术的研究
雷发胜1
张广浩2
吴昌哲2
张丞2
霍小林1
1.中国科学院生物电磁学北京市重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190;中国科学院大学电子电气与通信工程学院,北京 1000492.中国科学院生物电磁学北京市重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190
摘要：本研究将高频串联谐振恒流充电技术应用到重复经颅磁刺激(rTMS)供电系统,充电电压误差保持在5%以内,刺激频率由原先的几赫兹提高到十几赫兹,有效地提高了rTMS供电系统的充电精度和充电速度.本研究还设计了以STM32为核心的数字控制系统,提高了电源的可控性,解决了传统模拟控制方式不可编程、可控性差的不足.最后搭建了实验样机,连入rTMS系统进行测试,工作在500 V时,rTMS刺激频率最高可以达到31 Hz;工作在1000 V时,刺激频率最高可以达到20 Hz.
关键词：重复经颅磁刺激电容充电技术串联谐振恒流充电数字控制技术高频变压器
分类号：R318(医用一般科学)
资助基金：国家自然科学基金(51577183)国家自然科学基金(31400717)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2026-09-11（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 296-300 )
英文信息