多热源合成SiC温度场的动态数学模型及数值分析
陈杰
王晓刚
1.西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,7100542.西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,710054
摘要：通过对多热源合成SiC冶炼炉的传热学分析,确定了冶炼炉温度场的边界条件,建立了冶炼炉温度场的动态数学模型,采用有限单元法对温度场进行了数值分析.以工业试验为基础,对碳化硅冶炼炉温度场进行了数值求解,数值模拟得到最佳供电时间为66～72 h,工业试验为60～75 h,结果与工业试验吻合.该方法可进一步确定工业生产中的供电参数、炉体参数及物料配比,为工业生产提供理论指导.
关键词：多热源合成SiC温度场动态数学模型数值分析
分类号：TF061.2(一般性问题)
资助基金：国家自然科学基金(50174046)陕西省教育厅专项科研计划项目(08JK347)
论文发表日期：2009-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 271-274 )
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