多热源合成SiC供电时间的选择研究
陈杰
王晓刚
1.西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,7100542.西安科技大学,材料科学与工程系,陕西,西安,710054
摘要：以多热源工业生产为基础,建立了SiC冶炼炉温度场的数学模型,通过数值模拟,研究了多热源合成SiC的传热传质规律,获得了立体三热源冶炼炉合成磨料SiC的供电时间为66～72 h, 这一结果在工业现场得到了验证.
关键词：多热源合成SiC供电时间数值模拟温度场传热传质规律
分类号：TQ021.3(一般性问题)
资助基金：中国科学院项目（非规范项目）(50174046)国家科技攻关计划(2001]277)
论文发表日期：2005-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 233-236 )
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