脑缺血再灌注损伤大鼠CREB信号通路调控及电针足三里作用机制
王梅平1
詹增土2
朱敏3
1.350025 福州,中国人民解放军联勤保障部队第900医院普外科2.福建省康复医院神经康复科,福州,3500033.350025 福州,中国人民解放军联勤保障部队第900医院体检中心
摘要：目的 探讨脑缺血再灌注损伤大鼠环磷腺苷效应元件结合蛋白(cAMP-response element bind-ing protein,CREB)信号通路调控及电针足三里作用机制.方法 选择100只健康雄性SPF级Wistar大鼠,随机分为假手术组、模型组、电针组、电针+阻断剂组,每组各25只.电针+阻断剂组造模前注射H-89阻断剂,模型组、电针组、电针+阻断剂组均行脑缺血再灌注损伤模型,假手术组和模型组不予电针干预,电针组、电针+阻断剂组电针足三里干预7d.评估大鼠神经行为学评分,观察脑梗死体积,检测血管内皮生长因子(vascular endothelial growth factor,VEGF)、CREB和磷酸化CREB(p-CREB)的表达水平,记录CREB和VEGF的基因表达水平.结果 与假手术组比较,造模2h、干预7d模型组、电针组和电针+阻断剂组大鼠神经行为学评分均明显升高,脑梗死体积均明显增大,差异有统计学意义(P<0.05);与本组造模2 h比较,干预7 d模型组、电针组和电针+阻断剂组神经行为学评分均明显降低,电针组干预7d脑梗死体积减小,差异有统计学意义(P<0.05);与电针组比较,模型组、电针+阻断剂组干预7 d神经行为学评分升高,脑梗死体积增大,差异有统计学意义(P<0.05).与电针组比较,假手术组、模型组、电针+阻断剂组VEGF表达量均减少,差异有统计学意义(P<0.05).与假手术组比较,模型组、电针组、电针+阻断剂组p-CREB和p-CREB/CREB蛋白表达水平与VEGF基因表达水平升高,差异有统计学意义(P<0.05);与电针组比较,模型组、电针+阻断剂组p-CREB和p-CREB/CREB蛋白表达水平与VEGF基因表达水平降低,差异有统计学意义(P<0.05).结论 电针足三里可改善脑缺血神经行为学功能,其机制可能与激活CREB通路,刺激下游VEGF表达,进而促进神经血管再生有关.
关键词：脑缺血穴足三里cAMP反应元件结合蛋白质
分类号：R743.31(神经病学与精神病学)
资助基金：福建省高校青年自然基金重点项目(JZ160441)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：5( 94-98 )
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