全SiC/半SiC智能功率模块功耗研究
冯宇翔
广东美的制冷设备有限公司 广东顺德528311
摘要：研究了全SiC智能功率模块、半SiC智能功率模块和Si智能功率模块的功耗.实验结果发现在20 Hz～90 Hz电机频率条件下,全SiC模块IPM-1功耗最低;全Si模块IPM-4模块功耗最高;只将开关器件替换为SiC-MOS功耗低于只将二级管替换为SiC-SBD;其功耗关系为IPM-1 (SiC-MOS+SiC-SBD)＜ IPM-2 (SiC-MOS+Si-FRD)＜ IPM-3 (Si-IGBT+SiC-SBD)＜ IPM-4 (Si-IGBT+Si-FRD);将SiC栅极电阻降低后SiC IPM功耗降低;增加SiC-MOS栅极电压后SiC IPM功耗降低.适当降低全SiC IPM的栅极电阻、增加SiC-MOS栅极电压可以进一步降低SiC IPM的功耗.全SiC智能功率模块的功耗最高可降低约40％.
关键词：SiC智能功率模块功耗
分类号：TN4(微电子学、集成电路（IC）)
论文发表日期：2020-08-28
在线出版日期：2025-08-15（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：3( 92-94 )
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