压力对管道缺陷磁记忆信号的影响分析
唐玉莲
陈世利
黄新敬
杨雨涵
1.天津大学 精密测试技术及国家重点实验室,天津,3000722.天津大学 精密测试技术及国家重点实验室,天津,3000723.天津大学 精密测试技术及国家重点实验室,天津,3000724.天津大学 精密测试技术及国家重点实验室,天津,300072
摘要：为了分析利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测的可行性,需要分析压力对管道缺陷磁记忆信号的影响.在J-A力磁耦合模型基础上得出相对磁导率与应力的数值关系,在Ansys软件中导入相对磁导率与应力的关系进行力学与静磁学联合仿真.研究结果表明:缺陷磁记忆信号有两个特点——径向磁场产生最小值到最大值的突变,轴向磁场出现最大值.在压力作用下管道内部背景磁场减小,缺陷磁记忆信号随着压力增大先减小后保持不变,可以利用磁记忆检测技术进行管道在线内检测.
关键词：压力管道缺陷磁记忆信号力磁耦合Ansys
分类号：TE832(石油、天然气储存与运输)
资助基金：国家自然基金面上项目(61473205)天津市科技兴海项目(KJXH2013-06)The project supported by the General Program of the National Natural Science Foundation of China(61473205)the Marine Science and Technology of Tianjin(KJXH2013-06)
论文发表日期：2018-01-01
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 306-311 )
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