基于Pareto前沿的单晶Si放电加工工艺参数优化
张立新1
李玉玺2
史卫朝1
1.西安理工大学高等技术学院,西安,7100822.西安现代控制技术研究所,西安,710065
摘要：针对电火花加工复杂、时变、多参数的特点,在单晶硅Si放电成型加工可行性的基础上,对材料去除率和表面粗糙度等工艺目标进行综合评价.采用中心组合设计实验综合考察峰值电流、脉冲宽度、脉冲间隔对P型单晶Si放电成型加工过程中材料去除率以及表面粗糙度的影响程度,通过响应曲面法分别获得材料去除率和表面粗糙度的二次响应模型,方差分析结果表明模型具有很好的拟合程度和适应性.以提高材料去除率和降低表面粗糙度为目标建立工艺参数优化模型,设计遗传算法对优化问题进行求解并得到Pareto最优解集.实验结果表明,料去除率的实验结果与优化预测结果平均相对误差为5.8％,表面粗糙度的实验结果与优化预测结果平均相对误差为5.3％.表明该算法能有效快速的实现P型单晶Si放电成型加工过程的工艺参数优化.
关键词：放电加工单晶硅材料去除率表面粗糙度参数优化
分类号：TG661(金属学与金属工艺)
论文发表日期：2017-01-01
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：7( 1092-1098 )
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