纳米银焊膏双面连接IGBT封装形式的强度
梅云辉1
连娇愿2
徐乾烨1
李欣1
陈旭2
程维姝3
1.天津市现代连接技术重点实验室,天津300072;天津大学材料科学与工程学院,天津3000722.天津大学化工工程与技术学院,天津3000723.北洋国家精馏技术工程发展有限公司,天津300072
摘要：采用无铅化电子封装用芯片连接材料—纳米银焊膏,成功制备了IGBT双面连接试样.芯片剪切实验表明双面连接试样中纳米银烧结焊点的平均剪切强度可达约22 MPa.通过加入银缓冲层后,试样平均剪切强度达到27.5MPa.-40℃～+150℃的热循环老化实验表明,添加银缓冲层的双面连接IGBT试样热循环可靠性更高.
关键词：双面连接IGBT纳米银焊膏剪切强度可靠性温度循环
分类号：TG1I1.8(金属学与热处理)O346.23(固体力学)
论文发表日期：2014-01-01
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
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