多晶硅薄膜残余应力显微拉曼谱实验分析
吴昊
孟永钢
苏才钧
郭占社
温诗铸
1.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,1000842.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,1000843.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,1000844.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,1000845.清华大学,摩擦学国家重点实验室,北京,100084
摘要：利用显微拉曼谱对桥式多晶硅薄膜梁的残余应力进行测量,该多晶硅薄膜采用典型的MEMS(micro-electro-mechanical systems)工艺制造.实验结果表明, 多晶硅薄膜梁的中部存在很大的拉伸残余应力(约1 GPa),且多晶硅薄膜的残余应力沿梁长方向大致呈对称分布,这种内应力分布与制造过程中的ICP(inductively-coupled plasma)工艺密切相关.多晶硅薄膜梁在残余应力作用下的变形情况可以通过WYKO白光形貌仪准确地表征,经过ANSYS计算,薄膜残余应力分布状况与显微拉曼谱法的测量结果吻合.因而,显微拉曼谱法是测量多晶硅薄膜残余应力的一种准确而可靠的方法.
关键词：拉曼谱多晶硅薄膜残余应力
分类号：TB302.3(工程材料学)
资助基金：国家自然科学基金(50525515)基础研究项目(2003CB716205)教学改革项目(Jc2003013)
论文发表日期：2007-03-02
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 233-236 )
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