纳米压痕位移突变机理研究
乔利杰
郜欣
王玉桂
宿彦京
褚武扬
1.北京科技大学,材料物理与化学系,北京,1000832.北京科技大学,材料物理与化学系,北京,1000833.北京科技大学,材料物理与化学系,北京,1000834.北京科技大学,材料物理与化学系,北京,1000835.北京科技大学,材料物理与化学系,北京,100083
摘要：用铁和ZnO单晶研究纳米压入时的位移突变和蠕变突变.结果表明,电解抛光的纯铁压入时会出现位移突变,突变前后的载荷一位移曲线明显不同,它对应表面膜破裂.而对于ZnO单晶来说,突变前后载荷一位移曲线变化不大,该突变意味着位错的爆发式发射.随加载速率降低,发生位移突变的临界载荷PC也下降.当P＞PC恒载荷蠕变时,位移缓慢升高直至饱和,但无突变;如P＜PC,恒载荷下保持一定时间就会发生蠕变突变,随后位移缓慢升高至饱和;如P＜P++(门槛载荷),则不发生蠕变和蠕变突变.
关键词：单晶纳米压痕位移突变蠕变表面膜
分类号：TG111.8(金属学与热处理)
资助基金：国家自然科学基金(50171013,50272011)国家重点基础研究发展计划（973计划）(G19990650)
论文发表日期：2004-11-08
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：4( 1-4 )
英文信息