微桥法研究低应力氮化硅力学特性及误差分析
宗登刚1
王钻开2
陆德仁2
王聪和3
1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050;香港理工大学,应用物理系,香港2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,2000503.香港理工大学,应用物理系,香港
摘要：用微机械悬桥法研究低应力氮化硅薄膜的力学性能.对符合弹性验则的微桥进行测试,在考虑衬底变形的基础上,利用最小二乘法对其载荷-挠度曲线进行拟合,得到低应力low pressure chemical vapour deposited (LPCVD)氮化硅的弹性模量为314.0 GPa±29.2 GPa, 残余应力为265.0 MPa±34.1 MPa.探讨梯形横截面对弯曲强度计算和破坏发生位置的影响,得到低应力氮化硅的弯曲强度为6.9 GPa±1.1 GPa.对微桥法测量误差的分析表明,衬底变形、微桥长度和厚度的测量精度对最终力学特性的拟合结果影响最大.
关键词：微电子机械系统微桥低压化学气相淀积氮化硅弹性模量残余应力弯曲强度
分类号：O343(固体力学)
资助基金：国家重点基础研究发展计划（973计划）(G1999033103)教学改革项目(1.1.37.A310)
论文发表日期：2003-01-01
在线出版日期：2026-09-12（本平台首次上网日期，不代表文献的发表时间）
页数：6( 395-400 )
英文信息